logo
  • მთავარი
  • კონტაქტი
  • Georgian (GE)
  • English (UK)
  • მთავარი
  • ჩვენ შესახებ
    • ინსტიტუტის შესახებ
    • სამეცნიერო საბჭო
    • სამეცნიერო მიღწევები
    • მიზნები
    • ვაკანსიები
    • წესდება
    • შინაგანაწესი
  • სტრუქტურა
    • დირექტორი
    • დირექტორის მოადგილე
    • ლაბორატორიები
  • გრანტები
    • ნ.დოლიძე
    • ზ.ჯიბუტი
  • კონფერენციები
  • პროექტები
  • გალერეა

პროექტები

საინოვაციო ტექნოლოგია

საინოვაციო ტექნოლოგია

იწ და უი გამოსხივების ფოტოდეტექტორები A3B5 შენაერთების და მოდიფიცირებული Si საფუზველზე

იწ და უი გამოსხივების ფოტოდეტექტორები A3B5 შენაერთების და მოდიფიცირებული Si საფუზველზე

მეხსიერების მოწყობილობის შექმნა მემრისტორის საფუძველზე

მეხსიერების მოწყობილობის შექმნა მემრისტორის საფუძველზე

მეტალთა და ნახევარგამტართა ოქსიდების და ნიტრიდების მიღების დაბალტემპერატურული ტექნოლოგია

მეტალთა და ნახევარგამტართა ოქსიდების და ნიტრიდების მიღების დაბალტემპერატურული ტექნოლოგია

ნახევარგამტარული მასალების საფუძველზე მაიონებელი გამოსხივების პიქსელური დეტექტორების ტექნოლოგია

ნახევარგამტარული მასალების საფუძველზე მაიონებელი გამოსხივების პიქსელური დეტექტორების ტექნოლოგია

ჩვენს შესახებ

სსიპ „მიკრო და ნანოელექტრონიკის ინსტიტუტი“ (მნეი) ფუნქციონირებს 2011 წლის 28 დეკემბრიდან. იგი შეიქმნა ივ. ჯავახიშვილის სახელობის თბილისის სახელმწიფო უნივერსიტეტის ფიზიკის ფაკულტეტის ნახევარგამტარული მიკროელექტრონიკის საბაზო კათედრისა და სამეცნიერო–კვლევით ინსტიტუტ (სკი) „მიონი“–ის საფუძველზე.

საკონტაქტო ინფორმაცია

  • (+995 32) 2 19 23 46
  • Microandnano@Gmail.com
  • 13 ილია ჭავჭავაძის გამზირი, თბილისი
Micro & Nano Technology - ყველა უფლება დაცულია
Created By: Smartweb