ლაბორატორიები

1) ნახევარგამტარული მასალების ლაბორატორია:

ლაბორატორიის ხელმძღვანელი: აკადემიური დოქტორი - მარინა ტიგიშვილი

მიმდინარეობს:

ა) GaAs-ზე  მოლეკულურ-სხივური ეპიტაქსიის პროცესებით მასალების მიღება და კვლევა,

ბ) Si Ge კვანტური წერტილების შესწავლა,

გ) GaAs-ში და Si-ში იონური ლეგირების პროცესები და

დ) მიღებულ სტრუქტურებზე ელექტრო-ფიზიკური პარამეტრების გაზომვები.

 

2)ნ/გ ხელსაწყოების და ინტეგრალური სქემების ტექნოლოგიური ლაბორატორია:

 ლაბორატორიის ხელმძღვანელი: აკადემიური დოქტორი - ალბერტ ტუტუნჯიანი

სამუშაოები მიმდინარეობს გალიუმის არსენიდზე და მონათესავე შენაერთებზე (GaAs, GaAlAs):

ა) ციფრული და ანალოგური ინტეგრალური  მიკროსქემების (იმს) შექმნის ტექნოლოგიის დამუშავება.

ამისთვის იმს დამზადების მოთხოვნის შესაბამისად, სუფთა ოთახებში   მიმდინარეობს

ბ) ქვესაფენების ზედაპირების ქიმიური და პლაზმა-ქიმიური დამუშავების,

გ) მეტალებისა და დიელექტრუკების ვაკუუმური დაფენების,

დ) ფოტოლიტოგრაფიის,

ე) სკრაიბირებისა და

ვ) კორპუსირების პროცესები. ყოველი ეტაპისა და კორპუსირების შემდეგ

ხდება ოპტიკური და ელექტრო-ფიზიკური გაზომვები.  

 

3)  ნახევარგამტარული ხელსაწყოების და ინტეგრალური სქემების პროექტირების ლაბორატორია:

ლაბორატორიის ხელმძღვანელი: აკადემიური დოქტორი - ზაურ ჭახნაკია

მიმდინარეობს შემდეგი სამუშაოები:  

შესაქმნელი ნახევარგამტარული ხელსაწყოს და მისი ელემენტების

(ტრამზისტორები, რეზისტორები, კონდენსატორები, ელემენტთა შეერთებები) ფორმირებისთვის

ა) სქემოტექნიკური გათვლები,

ბ) ტოპოლოგიისა და

გ) მოდელირების შედგენა, ანუ პროექტირება სხვადასხვა პროგრამული უზრუნველყოფით,

დ) ციფრული და ანალოგური ინტეგრალური სქემების დინამიური, მაღალსიხშირული პარამეტრების გაზომვები.

 

4) ნახევარგამტარული სტრუქტურების და ხელსაწყოების ლაბორატორია:

ლაბორატორიის ხელმძღვანელი: ფიზიკა-მათემატიკის მეცნიერებათა დოქტორინუგზარ დოლიძე

 სამუშაოები მიმდინარეობს სილიციუმზე და დიელექტრიკულ მასალებზე:

ა) ადვილად და ძნელად დნობადი მეტალების ვაკუუმური დაფენები თერმულ-რეზისტიული,

ელექტრო-სხივური და მაგნეტრონული მეთოდებით,

ბ) სხვადასხვა სახის თხელი და ზეთხელი ოქსიდების და ნიტრიდების  

(SiO2, Al2O3, TiO2, HfO2, ZrO2, Ta2O5, Nb2O5, GaN, AlN, TiN, FeN)

მიღების დაბალტემპერატურული კატალიზატორული პლაზმური და მაგნეტრონული,

ულტრაიისფერი სინათლით სტიმულირებული, ტექნოლოგიების დამუშავება,

გ) მიღებული ოქსიდებით და ნიტრიდებით ინტეგრალური მიკროსქემის (იმს),

მისი და ნანო ელემენტების ფორმირება და მათი ელექტრო-ფიზიკური,

ოპტიკური, სტრუქტურული, დიელექტრიკული  პარამეტრების კვლევა.

 

5)დაბალტემპერატურული სტიმულირებული ნანოტექნოლოგიების ლაბორატორია

ლაბორატორიის ხელმძღვანელი: ფიზიკა-მათემატიკის მეცნიერებათა დოქტორი - ზურაბ ჯიბუტი

 

კვლევები მიმდინარეობს და იქმნება თანამედროვე დაბალტემპერატურული ტექნოლოგიები,

რომლებიც უზრუნველყოფენ მიკრო და ნანოელექტრონული ხელსაწყოების ფიზიკური

პარამეტრების საგრძნობ გაუმჯობესებას და შექმნის თვითღირებულების მნიშვნელოვან შემცირებას.

დაბალტემპერატურული ტექნოლოგიები პროცესები მიმდინარეობენ სტიმულირებული მეთოდების გამოყენებით (ფოტონური, კატალიზური).