სამეცნიერო საბჭო

ნსტიტუტში ფუნქციონირებს  სამეცნიერო საბჭო

დირექტორი: ფიზიკა-მათემატიკის მეცნიერებათა დოქტორი: პროფესორი ამირან ბიბილაშვილი   

დირექტორის მოადგილე: აკადემიური დოქტორი: ტექნ - მეც. კანდიდატი რევაზ მელქაძე

 მთავარი ბუღალტერი; იურისტი; შესყიდვის კოორდინატორი; საქმის  მწარმოებელი; პროგრამისტი; საიდუმლო საქმის მწარმოებელი. 

მიკრო და ოპტოელექტრონიკის სამეცნიერო განყოფილება  (ლაბორატორიები 1; 2; 3)  

1) ნ/გ ხელსაწყოების და ინტეგრალური სქემების ტექნოლოგიური ლაბორატორია:

სამუშაოები მიმდინარეობს გალიუმის არსენიდზე და მონათესავე შენაერთებზე (GaAs, GaAlAs): ა) ციფრული და ანალოგური ინტეგრალური  მიკროსქემების (იმს) შექმნის ტექნოლოგიის დამუშავება. ამისთვის იმს დამზადების მოთხოვნის შესაბამისად, სუფთა ოთახებში   მიმდინარეობს ბ) ქვესაფენების ზედაპირების ქიმიური და პლაზმა-ქიმიური დამუშავების, გ) მეტალებისა და დიელექტრუკების ვაკუუმური დაფენების, დ) ფოტოლიტოგრაფიის, ე) სკრაიბირებისა და ვ) კორპუსირების პროცესები. ყოველი ეტაპისა და კორპუსირების შემდეგ ხდება ოპტიკური და ელექტრო-ფიზიკური გაზომვები.  

2) ნახევარგამტარული მასალების ლაბორატორია:

მიმდინარეობს:

ა) GaAs-ზე  მოლეკულურ-სხივური ეპიტაქსიის პროცესებით მასალების მიღება და კვლევა;

ბ) Si Ge კვანტური წერტილების შესწავლა;

გ) GaAs-ში და Si-ში იონური ლეგირების პროცესები და შემდგომი გამოწვა.

დ) მიღებულ სტრუქტურებზე ელექტრო-ფიზიკური პარამეტრების გაზომვები.

3) ნახევარგამტარული ხელსაწყოების და ინტეგრალური სქემების პროექტირების ლაბორატორია:

შესაქმნელი ნახევარგამტარული ხელსაწყოს და მისი ელემენტების (ტრანზისტორები, რეზისტორები, კონდენსატორები, ელემენტთა შეერთებები) ფორმირებისთვის მიმდინარეობს შემდეგი სამუშაოები:

ა) სქემოტექნიკური გათვლები,

ბ) ტოპოლოგიისა და

გ) მოდელირების შედგენა, ანუ პროექტირება სხვადასხვა პროგრამული უზრუნველყოფით,

დ) ციფრული და ანალოგური ინტეგრალური სქემების დინამიური, მაღალსიხშირული პარამეტრების გაზომვები.

4) ნახევარგამტარული სტრუქტურების და ხელსაწყოების ლაბორატორია:

სამუშაოები მიმდინარეობს სილიციუმზე და დიელექტრიკულ მასალებზე: ა) ადვილად და ძნელად დნობადი მეტალების ვაკუუმური დაფენები თერმულ-რეზისტული, ელექტრო-სხივური და მაგნეტრონული მეთოდებით,

ბ) სხვადასხვა სახის თხელი და ზეთხელი ოქსიდების და ნიტრიდების  (SiO2, Al2O3, TiO2, HfO2, ZrO2, Ta2O5, Nb2O5, GaN, AlN, TiN, FeN) მიღების დაბალტემპერატურული კატალიზატორული პლაზმური და მაგნეტრონული, ულტრაიისფერი სინათლით სტიმულირებული, ტექნოლოგიების დამუშავება,  

გ) მიღებული ოქსიდებით და ნიტრიდებით ინტეგრალური მიკროსქემის (იმს), მისი და ნანო ელემენტების ფორმირება და მათი ელექტრო-ფიზიკური, ოპტიკური, სტრუქტურული, დიელექტრიკული  პარამეტრების კვლევა.

5) დაბალტემპერატურული სტიმულირებული ნანოტექნოლოგიების ლაბორატორია: 

კვლევები მიმდინარეობს და იქმნება თანამედროვე დაბალტემპერატურული ტექნოლოგიები, რომლებიც უზრუნველყოფენ მიკრო და ნანოელექტრონული ხელსაწყოების ფიზიკური პარამეტრების საგრძნობ გაუმჯობესებას და შექმნის თვითღირებულების მნიშვნელოვან შემცირებას. დაბალტემპერატურული ტექნოლოგიები პროცესები მიმდინარეობენ სტიმულირებული მეთოდების გამოყენებით (ფოტონური, კატალიზური).