მიკრო და ნანო
ელექტრონიკის ინსტიტუტი
Institute of Micro &
Nanoelectronics
Nanoelectronics
MNEI • DELTA • EST. 2011
მოკლე აღწერა: პროექტის ფარგლებში გამოკვლეული იქნება სხვადასხვა ტალღის სიგრძისა და ინტენსივობის UV გამოსხივების ზემოქმედება დაფენის პროცესზე, რათა განისაზღვროს მაღალი ხარისხის გალიუმის ნიტრიდის მიღებისა და ლეგირების ოპტიმალური პირობები. შესწავლილი იქნება მიღებული ნიმუშების სტრუქტურული, ოპტიკური და ელექტრული თვისებები.
Brief Description: The project will investigate the effects of UV radiation at different wavelengths and intensities on the deposition process to determine optimal conditions for obtaining and doping high-quality gallium nitride. The structural, optical, and electrical properties of the resulting samples will be studied.
მოკლე აღწერა: პროექტის ფარგლებში გამოკვლეული იქნება სხვადასხვა ტალღის სიგრძისა და ინტენსივობის UV გამოსხივების ზემოქმედება დაფენის პროცესზე, რათა განისაზღვროს მაღალი ხარისხის Ga₂O₃-ის მიღების ოპტიმალური პირობები. შესწავლილი იქნება მასალის სტრუქტურული, ოპტიკური, ელექტრული და მორფოლოგიური თვისებები.
Brief Description: The project will investigate the effects of UV radiation at different wavelengths and intensities on the deposition process to determine optimal conditions for obtaining high-quality Ga₂O₃. The structural, optical, electrical, and morphological properties of the material will be studied.
მოკლე აღწერა: ცნობილია, რომ გალიუმის ოქსიდში თუთიის (Zn) ლეგირებით მიიღება p ტიპის ნახევარგამტარი, ხოლო სილიციუმის (Si) ლეგირებით მიიღება n ტიპის ნახევარგამტარი. შესაბამისად, ამ პროექტში განხილულია ამ ორი მინარევის შეყვანა Ga₂O₃-ში და მათი აქტივაციის პროცესების შესწავლა UV სტიმულაციით. ამისათვის გამოყენებული იქნება ორი პარალელური მაგნეტრონული სისტემა, რომელიც განთავსებულია მიკრო და ნანოელექტრონიკის ინსტიტუტის ნახევარგამტარული სტრუქტურებისა და ხელსაწყოების ლაბორატორიაში.
Brief Description: It is known that doping gallium oxide with zinc (Zn) can produce a p-type semiconductor, while doping it with silicon (Si) can produce an n-type semiconductor. This project investigates the introduction of these two dopants into Ga₂O₃ and the study of their activation processes under UV stimulation. Two parallel magnetron systems located in the Semiconductor Structures and Devices Laboratory of the Institute of Micro and Nanoelectronics will be used for this purpose.
ჰელსინკის უნივერსიტეტი, ფინეთი.
University of Helsinki, Finland.
ოსტრავა, ჩეხეთის რესპუბლიკა.
Ostrava, Czech Republic.
ვარშავა, პოლონეთი.
Warsaw, Poland.
სორბონის უნივერსიტეტი, პარიზი, საფრანგეთი.
Sorbonne University, Paris, France.